[发明专利]高电压装置有效
| 申请号： | 201110421137.0 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN103065967A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | G·张;P·R·维尔马;B·朱 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/40;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高电压装置。本发明提供一种形成装置的方法。该方法包含提供具有装置区域的衬底。该装置区域包含定义于该衬底上的源极区域、栅极区域、及漏极区域。该衬底制备有在该衬底上的栅极层。图案化该栅极层以形成在该栅极区域中的栅极及形成围绕该漏极区域的场结构。形成分别在该源极区域及漏极区域中的源极及漏极。该漏极在该栅极的第二侧上与该栅极分开且该源极相邻于该栅极的第一侧。形成互连至该场结构。该互连耦合至电位，该电位在该栅极的第二侧及该漏极间将该电场分布横越该衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 装置 | ||
【主权项】：
一种形成装置的方法，包括：提供具有装置区域的衬底，其中该装置区域包括定义于该衬底上的源极区域、栅极区域、及漏极区域，该衬底制备有在该衬底上的栅极层；图案化该栅极层以形成在该栅极区域中的栅极及形成围绕该漏极区域的场结构；形成在该源极区域及该漏极区域中的源极及漏极，其中该漏极在该栅极的第二侧上与该栅极分开且该源极相邻于该栅极的第一侧；以及形成互连至该场结构，该互连是耦合至电位，其中，该电位在该栅极的第二侧及该漏极间将电场分布横越该衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
