[发明专利]多通道半导体存储器装置以及包括该装置的半导体装置有效

专利信息
申请号: 201110412500.2 申请日: 2011-11-30
公开(公告)号: CN102486931A 公开(公告)日: 2012-06-06
发明(设计)人: 金炫中;李东阳 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C8/16 分类号: G11C8/16
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩明星
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开了一种多通道半导体存储器装置以及包括该装置的半导体装置。所述半导体存储器装置包括安装在封装件内的多个通道存储器,并能够最小化或减少硅通孔的数量。关于所述半导体存储器装置,通过共享总线施加关于两个或更多个通道的行命令或行地址。半导体存储器装置能够通过减少硅通孔的数量来减少裸片大小的开销。还提供了一种使用共享总线来驱动包括多个存储器的多通道半导体存储器装置的方法。
搜索关键词: 通道 半导体 存储器 装置 以及 包括
【主权项】:
一种半导体存储器装置,包括:第一存储器,被配置为分别通过第一总线和第二总线接收第一通道列命令和第一通道行命令;第二存储器,通过硅通孔与第一存储器连接,第二存储器被配置为通过专用总线接收第二通道列命令,通过第一存储器的第一总线和第二总线之一接收第二通道行命令,其中,第二总线是共享总线。
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