[发明专利]一种在Si衬底上制备纳米Ni催化剂颗粒的方法

摘要

本发明公开了一种在Si衬底上制备纳米Ni催化剂颗粒的方法，先清洗Si衬底，然后将清洗过的Si衬底放入硝酸镍乙醇溶液中超声振荡后放入马弗炉干燥，得到涂覆有Ni薄膜的Si衬底，把制得的涂覆有Ni薄膜的Si衬底放入石英舟，放入高温管式气氛炉，通入N2除去管式炉中的空气，之后升温利用高温氨气刻蚀法在Si衬底上制备纳米Ni催化剂颗粒，最后，通入N2清除管式炉中的NH3，同时自然冷却至常温，即完成在Si衬底制备的纳米Ni催化剂颗粒。解决现有Si衬底上制备纳米Ni催化剂颗粒的方法中存在的工艺复杂，颗粒大小和分布不均匀的缺点。

主权项

一种在Si衬底上制备纳米Ni催化剂颗粒的方法，其特征在于，按照以下步骤进行：步骤1：在Si衬底上制备Ni薄膜：首先，将Si基片放入体积比为1∶1的浓硝酸和双氧水的混合溶液中煮沸10min，再放入按体积比为1∶1∶6的双氧水、氨水和去离子水的混合溶液中煮沸10min，再将Si基片氢氟酸溶液中浸泡15秒钟后用去离子水将硅基片清洗干净；最后，将硅基片放在体积比为1∶1∶6的双氧水、盐酸和去离子水的混合溶液中煮15min，取出后用去离子水冲洗，然后，将清洗过的Si衬底放入配置好的硝酸镍的乙醇溶液中超声振荡2小时后取出，之后放入马弗炉干燥，得到涂覆有Ni薄膜的Si衬底；步骤2：纳米Ni催化剂颗粒的制备：把步骤1制得的涂覆有Ni薄膜的Si衬底放入石英舟的中间位置，同石英舟一起放入高温管式气氛炉的恒温区，通入流量为300sccm的N2 20min，用以除去管式炉中的空气，之后将炉内温度升至310℃，保持310℃恒温30min后关闭N2；然后，继续升温至750℃～850℃，此时通入流量为100sccm的NH3，保持恒温20～40min后关闭NH3，最后，通入N2 5min以清除管式炉中的NH3，同时自然冷却至常温，即完成在Si衬底制备的纳米Ni催化剂颗粒。