[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110388471.0 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102394244B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 苟鸿雁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明的绝缘栅双极型晶体管包括集电极、漂移区、发射极以及栅极；其中，在所述发射极中布置了沟槽填充区域，所述沟槽底部位于漂移区，且靠近发射极与漂移区的PN结处，所述沟槽填充区域中自底部到顶部依次填充了氧化物、多晶硅以及金属，所述金属形成了沟槽电极；并且所述沟槽电极与所述发射极相连接。根据本发明，当沟槽电极接地，最下端的集电极电极接正电压时，在N型的漂移区与垂直的旁路氧化硅界面处会反型出空穴，因此与传统的结构相比，可以提高发射结处的空穴浓度；因此在开态时，在集电极上加正压扫描时，会有更多的空穴参与导电，从而提高了绝缘栅双极型晶体管开态时的电导率。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管，其包括：集电极、漂移区、发射极以及栅极；其特征在于，在所述发射极中布置了沟槽填充区域，并且所述沟槽填充区域的底部位于漂移区，且靠近发射极与漂移区的PN结处；所述沟槽填充区域中自底部到顶部依次填充了氧化物、多晶硅以及金属，所述氧化物是氧化硅，所述金属形成了沟槽电极；并且所述沟槽电极与所述发射极相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110388471.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
