[发明专利]沟槽式功率MOS晶体管的结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽式功率MOS晶体管的制造方法，该方法在完成栅极制作后，沉积顶层金属前，进行以下工艺步骤：1)生长氮化硅介质层；2)利用沟槽掩膜反向光刻，曝光，打开有源区；3)刻蚀有源区的氮化硅介质层；4)二氧化硅垫积、回刻和层间膜垫积，生成接触孔层间介质层；5)用通孔掩膜板干刻和自对准工艺制作接触孔。本发明还公开了用上述方法制备的功率MOS晶体管的结构。该方法通过在打开接触孔时，采用接触孔自对准工艺，解决了传统工艺在线宽缩小过程中遇到的接触孔套准精度问题，从而得以进一步缩小沟槽式功率MOS晶体管的线宽，使高密度功率MOS器件的制备成为可能。

主权项

一种沟槽式功率MOS晶体管的制造方法，其特征在于，在完成栅极制作后，沉积顶层金属前，包括有以下步骤：1)在硅片上生成氮化硅介质层；2)利用沟槽掩膜进行反向光刻，曝光，打开有源区；3)对有源区的氮化硅介质层进行刻蚀；4)依次进行二氧化硅的垫积、回刻和层间膜垫积，生成接触孔层间介质层；5)采用通孔掩膜板干刻和自对准工艺制作接触孔。