[发明专利]高压半导体结构及其操作方法

摘要

本发明公开了一种高压半导体结构及其操作方法。高压半导体结构包括一衬底、一第一P型掺杂区、一第二P型掺杂区、一第三P型掺杂区、一第一N型掺杂区及一第二N型掺杂区。第一P型掺杂区、第一N型掺杂区、第三P型掺杂区、第二N型掺杂区及第二P型掺杂区依序排列于衬底内，而形成PNPNP型态。本发明的高压半导体结构及其操作方法，是利用PNPNP型态的设计使得漏电情况与闩锁效应(Latch-up)的情况能够有效改善。

主权项

一种高压半导体结构，包括：一衬底；一第一N型材料区；一第一P型材料区；一第二P型材料区，该第一N型材料区、该第一P型材料区及该第二P型材料区设置于该衬底内，且该第一N型材料区设置于该第一P型材料区及该第二P型材料区之间；一第一P型掺杂区(P type doping region)，设置于该第一P型材料区内；一第二P型掺杂区，设置于该第二P型材料区内；一第三P型掺杂区，设置于该第一N型材料区内；一第一N型掺杂区(N type doping region)；以及一第二N型掺杂区，该第一N型掺杂区及该第二N型掺杂区设置于该第一N型材料区内，并位于该第三P型掺杂区的两侧；其中该第一P型掺杂区及该第二P型掺杂区电性连接于一阴极，该第三P型掺杂区、该第一N型掺杂区及该第二N型掺杂区电性连接于一阳极。