[发明专利]半导体发光装置

摘要

本发明公开了一种半导体发光装置，其包括基板；第一型半导体层，其形成于该基板上；发光层及第二型半导体层，该发光层及第二型半导体层依序形成于部分该第一型半导体层上，并裸露部分该第一型半导体层；第一型电极，形成于该裸露的第一型半导体层上，其包括有第一本体部及第一延伸部，其中该第一延伸部是自该第一本体部向第一方向延伸；以及第二型电极，其形成于该第二型半导体层上，其包括有第二本体部及第二延伸部，该第二延伸部是自该第二本体部向第二方向延伸，其中该第一延伸部在一平面上的第一投影与该第二延伸部在该平面上的第二投影仅部分重叠。借由本发明的半导体发光装置，其产生的热量较均匀且能提高发光效益。

主权项

一种半导体发光装置，其特征在于，其包括：基板；第一型半导体层，其形成于该基板上；发光层及第二型半导体层，该发光层及第二型半导体层依序形成于部分该第一型半导体层上，并裸露部分该第一型半导体层；第一型电极，其形成于该裸露的第一型半导体层上，该第一型电极包括有第一本体部、第一延伸部及第二延伸部，该第一延伸部包括有第一延伸区段与第二延伸区段，该第一延伸区段自该第一本体部向第一方向延伸，该第二延伸区段连接该第一延伸区段并向第二方向延伸，而该第二延伸部则包括有第三延伸区段与第四延伸区段，该第三延伸区段自该第一本体部向第三方向延伸，该第四延伸区段连接该第三延伸区段并向第二方向延伸，其中该第二延伸区段与第四延伸区段彼此互相平行，该第一方向以及该第三方向分别与该第二方向彼此互相垂直，且该第一方向及第三方向是彼此成180度反方向；以及第二型电极，其形成于该第二型半导体层上，该第二型电极包括有第二本体部及第三延伸部，其中该第三延伸部是位于该第二延伸区段及第四延伸区段之间，且该第三延伸部自该第二本体部向该第四方向延伸，该第四方向与该第二方向彼此成180度反方向，该第三延伸部在一平面上的第一投影与该第二延伸区段及该第四延伸区段在该平面上的第二投影及第三投影沿该第一方向及第三方向观察仅部分重叠。