[发明专利]半导体发光装置

说明书

技术领域

 本发明有关于一种半导体发光装置，特别是有关于一种电极包括延伸部的半导体发光装置。

背景技术

发光二极管元件由于耗电量少、体积小及使用寿命长，目前广泛地使用于家电用品的指示灯、液晶显示器的背光源、图文显示屏及汽车第三煞车灯等应用。近年来由于如磷化铝镓铟（AlGaInP）及氮化铝镓铟（AlGaInN）等发光二极管材料已被成功开发，因此能够在许多应用上以发光二极管元件取代传统的白炽灯泡。

图1及图2分别为公知的发光二极管10的平面图和剖面图，其中图2是沿着图1中2－2’剖面线的剖面图。在基板17上依序形成N型半导体层11、发光层16及P型半导体层12，然后借由蚀刻及沉积等步骤产生N型电极14及P型电极15。上述的发光层16可为同质接面（Homo Junction），异质接面（Hetero－Junction），双异质结构（Double Hetero－Structure），单量子井（Single Quantum Well），或是多重量子井（Multiple Quantum Well）等。

一般电子是由N型电极14下方处往P型电极15移动，同时空穴也会相反地自P型电极15往N型电极14移动。当电子和空穴在发光层16内结合时释放出能量而发出光线。且电子和空穴以P型电极15和N型电极14间电阻最低路径为主要移动路径。因此电子和空穴的结合往往集中于发光层16的局部面积P，不但造成大部分发光层16无法有效发光，也使得产生的热量集中、降低发光效益及可靠度。此种传统P型及N型电极配置方式显然仅适合较小尺寸（例如：14 mil×14 mil）的发光二极管10，并不适用于较大面积的矩形发光二极管。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种产生的热量较均匀且能提高发光效益的半导体发光装置。

为达到上述目的，本发明揭露一种半导体发光装置，其包括：基板；第一型半导体层，其形成于该基板上；发光层及第二型半导体层，该发光层及第二型半导体层依序形成于部分该第一型半导体层上，并裸露部分该第一型半导体层；第一型电极，其形成于该裸露的第一型半导体层上，该第一型电极包括有第一本体部、第一延伸部及第二延伸部，该第一延伸部包括有第一延伸区段与第二延伸区段，该第一延伸区段自该第一本体部向第一方向延伸，该第二延伸区段连接该第一延伸区段并向第二方向延伸，而该第二延伸部则包括有第三延伸区段与第四延伸区段，该第三延伸区段自该第一本体部向第三方向延伸，该第四延伸区段连接该第三延伸区段并向第二方向延伸，其中该第二延伸区段与第四延伸区段彼此互相平行，该第一方向以及该第三方向分别与该第二方向彼此互相垂直，且该第一方向及第三方向是彼此成180度反方向；以及第二型电极，其形成于该第二型半导体层上，该第二型电极包括有第二本体部及第三延伸部，其中该第三延伸部是位于该第二延伸区段及第四延伸区段之间，且该第三延伸部自该第二本体部向该第四方向延伸，该第四方向与该第二方向彼此成180度反方向，该第三延伸部在一平面上的第一投影（projection）与该第二延伸区段及该第四延伸区段在该平面上的第二投影及第三投影（projection）沿该第一方向及第三方向观察仅部分重叠。

本发明更揭露一种半导体发光装置，其包括基板；第一型半导体层，其形成于该基板上；发光层及第二型半导体层，该发光层及第二型半导体层依序形成于部分该第一型半导体层上，并裸露部分该第一型半导体层；第一型电极，形成于该裸露的第一型半导体层上，该第一型电极包括有第一本体部及第一延伸部，其中该第一延伸部是自该第一本体部向第一方向延伸；以及第二型电极，其形成于该第二型半导体层上，该第二型电极包括有第二本体部及第二延伸部，该第二延伸部是自该第二本体部向第二方向延伸，且该第一方向及该第二方向彼此成180度反方向，其中该第一延伸部在一平面上的第一投影（projection）与该第二延伸部在该平面上的第二投影（projection）沿垂直于该第一方向及第二方向的第三方向观察仅部分重叠。

由于本发明中的第一型电极包括有该第一延伸部，该第二型电极包括有该第二延伸部，因此可增加电子和空穴的移动路径，使电子和空穴的扩散更均匀，以避免产生的热量集中而降低发光效益及可靠度。再者，由于该第一延伸部的第一投影与该第二延伸部的第二投影仅部分重叠，因此可利用该第一延伸部将该第二延伸部的电流往一侧边扩散，以避免产生电流集中点，进而提高静电防护能力，降低元件失效。另外，由于该第一延伸部的第一投影与该第二延伸部的第二投影仅部分重叠，因此该第一延伸部与该第二延伸部未覆盖的面积仍可作为发光面积。

附图说明