[发明专利]一种提高非挥发性快闪存储器高密度存储特性的操作方法

摘要

提高非挥发性快闪存储器高密度多值存储特性的操作方法，1)首先将局部俘获型非挥发性快闪存储单元的初始状态调整到阈值电压-2V～-1V：采用双边的带-带遂穿热空穴注入(BBHH)的擦除方法进行调整到所述阈值电压；然后再进行瞬态的FN操作，促使沟道中电荷分布均匀；2)通过反复进行几次进行步骤1)，双边BBHH与FN操作步骤将初始状态调整到阈值电压为-2V～-1V，并且最终实现沟道区的阈值电压分布处处相同；3)以上述阈值为多值存储的初始状态，对NOR型局部俘获存储单元进行多值单元的编程操作；4)在达到编程状态后进行次短时间的-FN过程；本发明可达到提高存储器件的保持特性与耐受特性。

主权项

提高非挥发性快闪存储器高密度多值存储特性的操作方法，其特征是包括下面的步骤：1)首先将局部俘获型非挥发性快闪存储单元的初始状态调整到阈值电压‑2V～‑1V：采用双边的带‑带遂穿热空穴注入(BBHH)的擦除方法进行调整到所述阈值电压，即在源、漏极同时加一个正偏电压，栅极加一个负偏电压，衬底接地，将沟道区域和源漏结上方存储层的电荷均匀地擦除；然后再进行瞬态的FN操作，即在栅极加一个7～9V正偏电压，衬底加一个‑5～‑7V负偏电压，源、漏极浮空，这样可将初始状态调整到更稳定状态，促使沟道中电荷分布均匀；2)通过反复进行几次进行步骤1)，即双边BBHH与FN操作步骤将初始状态调整到阈值电压为‑2V～‑1V，并且最终实现沟道区的阈值电压分布处处相同；3)以上述阈值为多值存储的初始状态，对NOR型局部俘获存储单元进行多值单元的编程操作；对于负阈值电压的存储单元，过量的空穴均匀地分布在存储层上，采用衬底正偏压抑制第二代热电子注入的CHE编程方法，或者采用脉冲激发的衬底热电子注入(PASHEI)的编程方法实现电荷局部的存储；4)在达到编程状态后进行次短时间的‑FN过程，即在器件的栅极加‑7～‑9V负偏电压，衬底接5～7V正偏电压，源极与漏极浮空；5)通过反复进行几次进行步骤5)，即需要将上面的编程与后续的‑FN过程重复操作几次，提高存储单元的保持特性。