[发明专利]超级结牺牲氧化层的去除方法

摘要

本发明公开了一种超级结牺牲氧化层的去除方法，采用如下步骤去除牺牲氧化层：用DIW对硅片进行预处理；采用DHF去除牺牲氧化层。本发明通过在DHF刻蚀超级结的深沟槽中的牺牲氧化层前，对硅片用水进行预处理，水能对深沟槽浸润，而后DHF能直接置换深沟槽中的水并与深沟槽中的牺牲氧化层快速彻底的反应，从而能够采用高浓度的DHF将深沟槽中的牺牲氧化层完全去除，最后能降低工艺时间、提高生产效率，同时能降低超级结的击穿电压随机失效率、提高产品的良率。

主权项

一种超级结牺牲氧化层的去除方法，在硅片上形成超级结的深沟槽之后，在所述硅片上形成牺牲氧化层，所述牺牲氧化层形成的位置包括所述深沟槽的底部表面和侧壁表面、以及所述深沟槽外部的所述硅片表面上；其特征在于，采用如下步骤去除所述牺牲氧化层：步骤一、用去离子水对形成有所述牺牲氧化层的硅片进行预处理；步骤二、预处理之后，采用稀氢氟酸对形成于所述硅片上的所述牺牲氧化层进行刻蚀处理并完全去除所述牺牲氧化层。