[发明专利]一种二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110354384.3 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN103107203A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 肖秀光;黄定园;吴海平 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/32;H01L21/322;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件，特别涉及一种二极管包括：从下至上顺次连接的第一金属层、第一导电类型第一半导体层、第一导电类型第二半导体层、第一导电类型第三半导体层、第二导电类型第四半导体层和第二金属层；第三半导体层包括第一区域和第二区域；第一区域位于第二半导体层和第二区域之间；第二区域与位于其上的第四半导体层连接；第一区域晶格缺陷密度小于第二区域晶格缺陷密度；该二极管在保证二极管的反向恢复功耗不变的情况下改善了二极管的软度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种二极管,其特征在于，包括：从下至上顺次连接的第一金属层、第一导电类型第一半导体层、第一导电类型第二半导体层、第一导电类型第三半导体层、第二导电类型第四半导体层和第二金属层；所述第三半导体层包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于第二半导体层和第二区域之间，所述第二区域与第四半导体层连接；所述第一区的域晶格缺陷密度小于第二区域的晶格缺陷密度。
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