[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201110351842.8 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102456795A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/46;H01L33/64 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光器件。发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；第一电极，该第一电极电连接到第一导电类型半导体层；在发光结构层下面的绝缘支撑构件；以及在发光结构层和绝缘支撑构件之间的多个导电层。多个导电层中的至少一个具有大于发光结构层的宽度的宽度并且包括接触部分，该接触部分被布置为从发光结构层的侧壁进一步向外。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；第一电极，所述第一电极电连接到所述第一导电类型半导体层；在所述发光结构层下面的绝缘支撑构件；以及在所述发光结构层和所述绝缘支撑构件之间的多个导电层，其中所述多个导电层中的至少一个具有大于所述发光结构层的宽度的宽度并且包括接触部分，所述接触部分被布置为进一步从所述发光结构层的侧壁向外。
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