[发明专利]一种离子源均匀送气结构装置无效
| 申请号: | 201110347029.3 | 申请日: | 2011-11-07 |
| 公开(公告)号: | CN103094034A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
| 发明(设计)人: | 胡东京;吴巧艳;彭立波 | 申请(专利权)人: | 北京中科信电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/30 | 分类号: | H01J37/30 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 101111 北京市中关村科*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明公开了离子注入系统中的一种离子源均匀送气结构装置,如图1所示:通过在送气盖板底部设计送气管路(501)至送气管路(507),以使送入的气体均匀的流入弧室腔体内,而弧室的两块端板上安装有灯丝;当通过一定的灯丝电流,灯丝受热发射电子,此时送入的气体与电子相互碰撞发生电离,最终形成均匀的等离子体。因此,送气盖板的设置对均匀性送气显得尤为重要。其中送气盖板(5)采用耐高温、耐高压、高强度、导电特性突出的钼质材料,以减少在气体流动过程中造成的对送气盖板(5)的侵蚀。本发明涉及离子注入装置,隶属于半导体制造领域。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 离子源 均匀 送气 结构 装置 | ||
【主权项】:
一种应用于离子注入系统的离子源均匀送气结构装置,其送气盖板(5)及底板(4)均采用耐高温、耐高压、高强度、导电特性突出的钼质材料,而与之相连的送气管头部(6)采用陶瓷质地,以减少在气体流动过程中由于气体的压力、温升及电离度等造成的对送气盖板(5)的侵蚀。
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