[发明专利]一种离子源均匀送气结构装置无效

专利信息
申请号: 201110347029.3 申请日: 2011-11-07
公开(公告)号: CN103094034A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 胡东京;吴巧艳;彭立波 申请(专利权)人: 北京中科信电子装备有限公司
主分类号: H01J37/30 分类号: H01J37/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 101111 北京市中关村科*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 离子源 均匀 送气 结构 装置
【权利要求书】:

1.一种应用于离子注入系统的离子源均匀送气结构装置,其送气盖板(5)及底板(4)均采用耐高温、耐高压、高强度、导电特性突出的钼质材料,而与之相连的送气管头部(6)采用陶瓷质地,以减少在气体流动过程中由于气体的压力、温升及电离度等造成的对送气盖板(5)的侵蚀。

2.如权利要求1所述的离子源均匀送气结构装置,通过在送气盖板(5)与底板(4)之间设置送气管路(501)至送气管路(507),以达到气体均匀送气的目的。

3.如权利要求1所述的离子源均匀送气结构装置,送气盖板底面,如图2所示,设置的送气管路(501)至送气管路(507)呈纵横交错状,送入的气体通过主送气管路(501)向两边扩散。当气体到达两侧的支送气管路(504)至支送气管路(507)时,沿着支送气管路(504),支送气管路(505),送气管路(506)和送气管路(507),又将气体送至含有送气孔的副送气管路(502)和副送气管路(503);因送气管路(501)至送气管路(507)呈对称的几何分布,气体均匀的到达送气孔(508)至送气孔(519),之后进入弧室腔内。

4.如权利要3所述的离子源均匀送气结构装置,送气盖板上表面,如图3所示,均匀分布的送气孔(508)至送气孔(519),是使气体均匀地进入弧室的关键。当均匀气体到达弧室时,与从两边灯丝发射过来的电子发生碰撞,形成均匀的等离子体。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中科信电子装备有限公司,未经北京中科信电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110347029.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top