[发明专利]一种Na掺杂p型ZnO薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201110342906.8 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102373425A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;刘慧斌;黄靖云;何海平;张银珠;卢洋藩;蒋杰;李洋;潘新花 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Na掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，采用脉冲激光沉积法。该方法采用高纯ZnO和高纯NaF陶瓷靶材作为溅射靶材，交替溅射生长ZnO层和Na层，制备p型Na掺杂ZnO薄膜。靶材与衬底的之间的距离为4.5～5.5cm，生长室背地真空度抽至1×10-4～1×10-3Pa，然后加热衬底，使衬底温度为400～700℃，激光频率为3～10Hz，激光能量为250～350mJ。长后的薄膜以3～5℃/min冷却至室温。本发明提出的Na掺杂ZnO薄膜的制备方式简单，所用的设备与现行工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 na 掺杂 zno 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Na掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤： 步骤1）将清洗后的石英玻璃或蓝宝石或单晶ZnO作为衬底，放入脉冲激光沉积装置的生长室中；NaF靶材、ZnO靶材与衬底之间的距离为4.5～5.5cm，生长室背底真空度抽至1×10‑4～1×10‑3 Pa，然后加热衬底，使衬底温度为400～700 ℃，激光频率为3～10 Hz，激光能量为250～350 mJ，进行生长；先沉积溅射ZnO靶材，然后再溅射NaF靶材，交替生长获得Na掺杂ZnO多层薄膜；生长后的薄膜以3～5℃/min冷却至室温；步骤2）将生长得到的Na掺杂ZnO薄膜在400～800℃在管式炉或快速退火炉进行退火处理。
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