[发明专利]一种籽晶的制备方法及类单晶硅锭的铸造方法有效
| 申请号： | 201110339300.9 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103088406A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 许涛;李飞龙 | 申请（专利权）人： | 阿特斯（中国）投资有限公司;阿特斯光伏电力（洛阳）有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种籽晶的制备方法，该方法包括如下步骤：S1：提供收容有原生多晶硅和电性掺杂剂的坩埚；S2：将所述坩埚放置于直拉单晶炉内进行拉制以获得直径为223-225mm的单晶圆棒；S3：将所述单晶圆棒经过截断、剖方、以获得单晶方棒，对所述单晶方棒进行切片制得单晶硅块，所述单晶硅块为长方体并作为籽晶用于类单晶硅锭的铸造。与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过本发明所提供的籽晶制备方法制备的籽晶为长方体并不具有倒角，避免了多个籽晶拼接处产生晶体分裂，在采用该籽晶铸造类单晶硅锭时可大幅提升类单晶硅锭的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 籽晶 制备 方法 单晶硅 铸造 | ||
【主权项】：
一种籽晶的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：S1：提供收容有原生多晶硅和电性掺杂剂的坩埚；S2：将所述坩埚放置于直拉单晶炉内进行拉制以获得直径为223‑225mm的单晶圆棒；S3：将所述单晶圆棒经过截断、剖方、以获得单晶方棒，对所述单晶方棒进行切片制得单晶硅块，所述单晶硅块为长方体并作为籽晶用于类单晶硅锭的铸造。
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