[发明专利]P型一次性可编程器件结构

摘要

本发明公开了一种P型一次性可编程器件结构，在硅片上形成有N型阱，在N型阱上从左到右依序形成有第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区、第三P型重掺杂区，第一P型重掺杂区同第二P型重掺杂区之间的N型阱上及第二P型重掺杂区同第三P型重掺杂区之间的N型阱上分别形成有栅氧，第一P型重掺杂区同第二P型重掺杂区之间的栅氧之上形成有存储管栅极多晶硅，第二P型重掺杂区同第三P型重掺杂区之间的栅氧之上形成有选通管栅极多晶硅，所述存储管栅极多晶硅上方形成有一导电层，所述导电层同所述存储管栅极多晶硅之间有介质层。本发明的P型一次性可编程器件结构，提高了编程完之后整个器件的导通电流，并增加器件在编程前后可区分的电流范围。

主权项

一种P型一次性可编程器件结构，在硅片上形成有N型阱，在N型阱上从左到右依序形成有第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区、第三P型重掺杂区，第一P型重掺杂区同第二P型重掺杂区之间的N型阱上及第二P型重掺杂区同第三P型重掺杂区之间的N型阱上分别形成有栅氧，第一P型重掺杂区同第二P型重掺杂区之间的栅氧之上形成有存储管栅极多晶硅，第二P型重掺杂区同第三P型重掺杂区之间的栅氧之上形成有选通管栅极多晶硅，其特征在于，所述存储管栅极多晶硅上方形成有一导电层，所述导电层同所述存储管栅极多晶硅之间有介质层。