[发明专利]存储器中读操作参考电流的结构有效
| 申请号： | 201110322548.4 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103065681A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 郭璐;金建明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器中读操作参考电流的结构；分布选取产生参考电流的存储单元，在存储阵列的中间位置和上下边缘加入作为参考电流产生单元的行，按照X方向地址分布平均选取N比特单元；与工艺偏差无关的参考电流产生电路，将选取的N比特单元电流相加再取平均值，即得到该参考电流。本发明通过选取存储阵列不同区域单元，取其平均电流的方法，有效避免了在工艺实现中产生的电流偏差问题，具有较高的可靠性，尤其在大容量存储器应用中优势更为明显。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 操作 参考 电流 结构 | ||
【主权项】：
一种存储器中读操作参考电流的结构；其特征在于，分布选取产生参考电流的存储单元，在存储阵列的中间位置和上下边缘加入作为参考电流产生单元的行，按照X方向地址分布平均选取N比特单元；与工艺偏差无关的参考电流产生电路，将选取的N比特单元电流相加再取平均值，即得到该参考电流。
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