[发明专利]基于埋层N型阱的异质结1T-DRAM结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201110314329.1 | 申请日： | 2011-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN102446959A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 黄晓橹;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于埋层N型阱的1T-DRAM结构及其制备方法，埋层N型阱和源区采用宽禁带的半导体材料，而漏区采用窄禁带的半导体材料，即采用异质结的方法来改善常规1T-DRAM的性能，增大了信号裕度、1T-DRAM的保留时间和1T-DRAM单元的读写速率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 异质结 dram 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于埋层N型阱的异质结1T‑DRAM结构，其特征在于，包括硅基底层、体区层、以及位于所述体区层和硅基底层之间的埋层N型阱，所述埋层N型阱材质为N型碳化硅；所述异质结1T‑DRAM结构还包括位于体区层上的栅极和位于栅极两侧的漏、源区；其中，源区材质为N+型碳化硅，漏区材质为N+型锗硅；以所述栅极为中心，所述漏、源区外侧分别设有浅沟槽；所述浅沟槽下底低于埋层N型阱上表面、而高于埋层N型阱下表面。
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