[发明专利]一种高压终端有效
| 申请号： | 201110303575.7 | 申请日： | 2011-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN102751315A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李思敏 | 申请（专利权）人： | 李思敏 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 张卫华 |
| 地址： | 100011 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高压终端，在槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管的有源区的外围，有重掺杂P+型槽形场限环，槽的深度1-6微米，场限环的上面有重掺杂N+型多晶硅环形场板，多晶硅场板的上表面与金属层AL相连，金属层AL与P+型槽形场限环的槽的底面相连接。本发明的高压终端与槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管的管芯工艺相匹配，能够节约材料，减少光刻次数，降低成本，缩短加工周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 终端 | ||
【主权项】：
一种高压终端，在槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管的有源区的外围，有场限环，该场限环的上面有场板，场限环与场板之间有绝缘层隔离，其特征在于：所述场限环为重掺杂P+型槽形环，槽的深度为1‑6微米：所述场板为重掺杂N+型多晶硅环，多晶硅场板的上表面与金属铝层相连，金属铝层与P+型槽形场限环的槽的底面相连。
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