[发明专利]一种基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新存储设备及其方法有效
| 申请号： | 201110284656.7 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103021451A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 解玉凤;林殷茵;孟超;程宽 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新方法，本存储设备，包括振荡器、分频器、温度传感器，第一选择器，所述的温度传感器和第一选择器连接，振荡器连接到分频器，分频器和第一选择器连接，第一选择器和DRAM阵列相连接，该存储设备还包括n个衬底电压稳定模块和第二选择器，所述n个衬底电压稳定模块产生DRAM保持期间的衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，第二选择器在温度传感器产生的温度电压信号Vtemp控制下从衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压上。本发明克服了现有技术存在的，如每级的频率对应的温度范围大，阈值电压变化范围大，可能出现低效率或者不可靠问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 阈值 电压 调节 多级 温度 控制 刷新 存储 设备 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新存储设备，包括振荡器、分频器、温度传感器，第一选择器，所述的温度传感器和第一选择器连接，振荡器连接到分频器，分频器和第一选择器连接，第一选择器和DRAM阵列相连接，其特征在于：该存储设备还包括n个衬底电压稳定模块和第二选择器，所述n个衬底电压稳定模块产生DRAM保持期间的衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，第二选择器在温度传感器产生的温度电压信号Vtemp控制下从衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压上，其中，n为自然数。
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