[发明专利]半导体存储装置及其控制方法有效
| 申请号： | 201110280371.6 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102768856A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 坂庭学;上野广贵;入枝重文;高桥荣悦;椎野泰洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 周春燕;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体存储装置及其控制方法。根据一实施例，半导体存储装置包括：存储单元阵列，其具备配置于多个位线与字线的交叉位置且电流路径串联连接的多个存储单元列；电压生成电路，其生成提供给前述存储单元阵列的电压；以及控制电路，其控制前述存储单元阵列以及前述电压生成电路。前述控制电路在前述存储单元的数据写入工作中以如下方式进行控制：对前述存储单元列的非选择字线施加第1写入通过电压，在选择字线达到了写入电压后，对前述非选择字线进一步施加电压直至达到比前述第1写入通过电压大的第2写入通过电压为止。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，包括：存储单元阵列，其具备配置于多个位线与字线的交叉位置且电流路径串联连接的多个存储单元列；电压生成电路，其生成提供给前述存储单元阵列的电压；以及控制电路，其控制前述存储单元阵列以及前述电压生成电路；其中，前述控制电路在前述存储单元的数据写入工作中以如下方式进行控制：对前述存储单元列的非选择字线施加第1写入通过电压，在选择字线达到了写入电压后，使前述非选择字线达到比前述第1写入通过电压大的第2写入通过电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110280371.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种黑啤薄荷风味火腿肠及其加工方法
- 下一篇：一种龙眼的栽培方法
