[发明专利]位线结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种位线结构，包括：半导体基材，具有瓶状沟槽于其中，其中此瓶状沟槽包含第一沟槽及扩大的第二沟槽，且其中此第一及此第二沟槽各自具有相互面对的第一侧壁及第二侧壁；第一绝缘层，内衬于此瓶状沟槽中；第二绝缘层，覆盖第二沟槽中的第一绝缘层，其中第一侧壁具有一暴露部分未被第一及第二绝缘层覆盖，且第一侧壁上的第一绝缘层具有一暴露部分未被第二绝缘层覆盖，且其中第一侧壁的暴露部分靠近第一沟槽的底部且介于其与第一绝缘层的暴露部分之间；一金属线，位于第二绝缘层中；一位线接触物，位于金属线上。

主权项

一种位线结构的制造方法，其特征在于，所述的制造方法包括：提供一半导体基材；形成一瓶状沟槽于所述半导体基材中，其中所述瓶状沟槽包含一第一沟槽及一扩大的第二沟槽，且其中所述第一及所述第二沟槽各自具有相互面对的一第一侧壁及一第二侧壁，所述第一及所述第二沟槽的所述第一侧壁皆位于所述瓶状沟槽的同一侧；形成一第一绝缘层顺应性覆盖所述瓶状沟槽中；沉积一第二绝缘层于所述第二沟槽中；形成一金属线于所述第二绝缘层中；形成一具有一单边凹槽的第一接触物于所述金属线上，其中所述单边凹槽暴露出所述第二绝缘层的靠近所述第一侧壁的一顶部部分；以一湿刻蚀工艺自所述单边凹槽刻蚀所述第二绝缘层的所述靠近所述第一侧壁的所述顶部部分及刻蚀一部分的所述第二沟槽中的所述第一侧壁上的所述第一绝缘层，以形成一第一开口，所述第一开口暴露出所述第二沟槽中的一部分的所述第一侧壁及一部分的所述第一侧壁上的所述第一绝缘层，其中所述第一侧壁的所述暴露部分介于所述第一沟槽的底部及所述第一绝缘层的所述暴露部分之间；以及形成一第二接触物于所述第一开口中，所述第二接触物与所述第一接触物构成一位线接触物，并透过所述第一侧壁的所述暴露部分与所述半导体基材直接接触。