[发明专利]半导体装置、DC-DC 转换器和保护元件有效

专利信息
申请号: 201110273485.8 申请日: 2011-09-15
公开(公告)号: CN102738143A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 一岐村岳人 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H02M3/155
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 实施方式的半导体装置具备:第一布线,其用于与高电位侧电源电位连接;第二布线,其用于与上述高电位侧电源电位连接且与上述第一布线不同;开关晶体管,其一端与上述第一布线连接且另一端与输出端子连接;和保护元件,其在上述高电位侧电源电位和低电位侧电源电位之间与上述开关晶体管并联连接。上述保护元件具有:第一p型半导体区域,其与上述第一布线连接;n型半导体区域,其与上述第二布线连接且与上述第一p型半导体区域相接;和第二p型半导体区域,其与上述n型半导体区域相接,并从上述第一p型半导体区域离开,且与用于连接上述低电位侧电源电位的配线连接。
搜索关键词: 半导体 装置 dc 转换器 保护 元件
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:第一布线,与高电位侧电源电位连接;第二布线,与上述高电位侧电源电位连接,且与上述第一布线不同;开关晶体管,一端与上述第一布线连接,另一端与输出端子连接;以及保护元件,在上述高电位侧电源电位和低电位侧电源电位之间与上述开关晶体管并联连接,上述保护元件具有:第一p型半导体区域,与上述第一布线连接;n型半导体区域,与上述第二布线连接,且与上述第一p型半导体区域相接;以及第二p型半导体区域,与上述n型半导体区域相接,并从上述第一p型半导体区域离开,且与用于连接上述低电位侧电源电位的布线连接。
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