[发明专利]半导体装置、DC-DC 转换器和保护元件有效
申请号: | 201110273485.8 | 申请日: | 2011-09-15 |
公开(公告)号: | CN102738143A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 一岐村岳人 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02M3/155 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 实施方式的半导体装置具备:第一布线,其用于与高电位侧电源电位连接;第二布线,其用于与上述高电位侧电源电位连接且与上述第一布线不同;开关晶体管,其一端与上述第一布线连接且另一端与输出端子连接;和保护元件,其在上述高电位侧电源电位和低电位侧电源电位之间与上述开关晶体管并联连接。上述保护元件具有:第一p型半导体区域,其与上述第一布线连接;n型半导体区域,其与上述第二布线连接且与上述第一p型半导体区域相接;和第二p型半导体区域,其与上述n型半导体区域相接,并从上述第一p型半导体区域离开,且与用于连接上述低电位侧电源电位的配线连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 dc 转换器 保护 元件 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:第一布线,与高电位侧电源电位连接;第二布线,与上述高电位侧电源电位连接,且与上述第一布线不同;开关晶体管,一端与上述第一布线连接,另一端与输出端子连接;以及保护元件,在上述高电位侧电源电位和低电位侧电源电位之间与上述开关晶体管并联连接,上述保护元件具有:第一p型半导体区域,与上述第一布线连接;n型半导体区域,与上述第二布线连接,且与上述第一p型半导体区域相接;以及第二p型半导体区域,与上述n型半导体区域相接,并从上述第一p型半导体区域离开,且与用于连接上述低电位侧电源电位的布线连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的