[发明专利]半导体装置、DC-DC 转换器和保护元件有效
申请号: | 201110273485.8 | 申请日: | 2011-09-15 |
公开(公告)号: | CN102738143A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 一岐村岳人 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02M3/155 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 dc 转换器 保护 元件 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,
具备:
第一布线,与高电位侧电源电位连接;
第二布线,与上述高电位侧电源电位连接,且与上述第一布线不同;
开关晶体管,一端与上述第一布线连接,另一端与输出端子连接;以及
保护元件,在上述高电位侧电源电位和低电位侧电源电位之间与上述开关晶体管并联连接,
上述保护元件具有:
第一p型半导体区域,与上述第一布线连接;
n型半导体区域,与上述第二布线连接,且与上述第一p型半导体区域相接;以及
第二p型半导体区域,与上述n型半导体区域相接,并从上述第一p型半导体区域离开,且与用于连接上述低电位侧电源电位的布线连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
上述第一布线和上述第二布线分别经由不同的接合引线而与共用的引线管脚连接。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
上述第一p型半导体区域由上述n型半导体区域包围,
上述n型半导体区域由上述第二p型半导体区域包围。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
上述第一p型半导体区域和第二p型半导体区域由上述n型半导体区域包围。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,
还具备包围上述n型半导体区域的第三p型半导体区域。
6.一种DC-DC转换器,其特征在于,
具备:
第一布线,与高电位侧电源电位连接;
第二布线,与上述高电位侧电源电位连接,且与上述第一布线不同;
开关电路,连接在经由上述第一布线的高电位侧电源电位和低电位侧电源电位之间,在输出端有选择地连接上述高电位侧电源电位或上述低电位侧电源电位;
电感器,一端与上述开关电路的输出端连接;
电容器,连接在上述电感器的另一端和上述低电位侧电源电位之间;以及
保护元件,在上述高电位侧电源电位和上述低电位侧电源电位之间与上述开关电路并联连接,
上述保护元件具有:
第一p型半导体区域,与上述第一布线连接;
n型半导体区域,与上述第二布线连接,且与上述第一p型半导体区域相接;以及
第二p型半导体区域,与上述n型半导体区域相接,并从上述第一p型半导体区域离开,且与上述低电位侧电源电位连接。
7.根据权利要求6所述的DC-DC转换器,其特征在于,
上述第一布线和第二布线分别经由不同的引线与上述高电位侧电源电位连接。
8.一种保护元件,在高电位侧电源电位和低电位侧电源电位之间,与被保护电路并联连接,其特征在于,
具备:
第一p型区域,在半导体基板上形成;
n型区域,在上述半导体基板上形成,且与上述第一p型区域相接;
第二p型区域,在上述半导体基板上形成,与上述n型区域相接,并从上述第一p型区域离开,且被施加上述低电位侧电源电位;
第一布线,与上述第一p型区域连接,被施加上述高电位侧电源电位,且流过向上述被保护电路供给的电流;以及
第二布线,与上述n型区域接触,被施加上述高电位侧电源电位,且不流过向上述被保护电路供给的电流。
9.根据权利要求8所述的保护元件,其特征在于,
上述被保护电路包括开关电路,该开关电路对是否将上述高电位侧电源电位与上述低电位侧电源电位连接进行切换。
10.根据权利要求9所述的保护元件,其特征在于,
上述被保护电路是DC-DC转换器的一部分。
11.根据权利要求8所述的保护元件,其特征在于,
上述第一布线和第二布线分别具有引线。
12.根据权利要求11所述的保护元件,其特征在于,
上述第一布线和上述第二布线与共用的引线管脚连接。
13.根据权利要求8所述的保护元件,其特征在于,
上述第一p型区域由上述n型区域包围,
上述n型区域由上述第二p型区域包围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的