[发明专利]薄金属层光刻对准标记的制作方法有效

专利信息
申请号: 201110272670.5 申请日: 2011-09-15
公开(公告)号: CN103000616A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 童宇锋;李伟峰;陈福成 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 刘昌荣
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种薄金属层光刻对准标记的制作方法,该方法在垫积薄金属层前,还包括以下步骤:1)在衬底介质层上,与要制作的光刻对准标记相对应的位置处,涂布光刻胶作为阻挡层,曝光,刻蚀;2)用与薄金属层的材质不同的金属或合金填充步骤1)刻蚀掉的区域;3)化学机械研磨填充区域表面,使其低于所述介质层。该方法通过改变薄金属层光刻对准标记的衬底结构,改善了薄金属层光刻对准标记的高低差和明暗对比度,从而实现了后层与薄金属层的直接对准,提高了前后层的对准精度,保证了产品的设计性能。
搜索关键词: 金属 光刻 对准 标记 制作方法
【主权项】:
薄金属层光刻对准标记的制作方法,其特征在于,在垫积薄金属层前,包括以下步骤:1)在衬底介质层上,与要制作的光刻对准标记相对应的位置处,涂布光刻胶作为阻挡层,曝光,刻蚀;2)用与薄金属层的材质不同的金属或合金填充步骤1)刻蚀掉的区域;3)化学机械研磨填充区域表面,使其低于所述介质层。
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