[发明专利]一种避免光阻变性的无氮碳化硅薄膜工艺无效
| 申请号： | 201110266443.1 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102610555A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 张文广;郑春生;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的公开了一种避免光阻变性的无氮碳化硅薄膜工艺，其在原有的碳化薄膜的制备工艺的基础上改进而来，用碳氢化合物代替氨气，氮气等作为反应气体，可以制得无氮的碳化硅薄膜，避免了在后续的与光阻（光刻胶）接触的过程中，产生光阻变性的危险，进而有效保证了半导体互连关键尺寸的一致性，同时，提高了所淀积的碳化硅薄膜的品质，工艺过程简单易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 避免 变性 碳化硅 薄膜 工艺 | ||
【主权项】：
一种避免光阻变形的碳化硅薄膜工艺，其特征在于，包括以下的步骤：步骤S1：在一基底上所沉积的低介电常数薄膜中形成有铜互连线；步骤S2：用包含有碳氢化合物和氢气的混合气体处理互连线表面所产生的铜氧化物；步骤S3：用包含有碳氢化合物和硅烷的混合反应气体在所述低介电常数薄膜之上沉积一层碳化硅薄膜，且碳化硅薄膜同时覆盖在铜互连线上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110266443.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
