[发明专利]半导体集成电路制造方法无效
| 申请号： | 201110263754.2 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102983076A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 孟令款 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体集成电路制造方法，采用脉冲等离子体进行刻蚀，通过周期性的施加脉冲功率以产生等离子体，由于具有比连续波等离子体更低的电子温度和等离子体密度，使得等离子体损伤被大大地降低，极大的避免si recess的形成；同时，也可以采用连续波与脉冲等离子结合的方法，在避免损伤的同时，保证刻蚀速度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种栅结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成栅氧化层、栅电极层、硬掩模结构，在所述硬掩模结构之上形成所需栅结构的图案化光刻胶层；在等离子体刻蚀机的腔体中通入所需的刻蚀反应气体，采用脉冲等离子体刻蚀待刻蚀的各层，得到所需的栅结构，所述待刻蚀的各层包括栅氧化层、栅电极层、硬掩模结构；其中，所述脉冲等离子体是在所述等离子体刻蚀机的腔体的源端和偏置端均连接脉冲功率；所述脉冲功率由多个脉冲周期组成，通过调节脉冲功率的脉冲频率和脉冲占空比的来实现对所产生的等离子体的控制；所述脉冲功率的每个脉冲周期中均具有开启状态和关闭状态，在开启状态下，所述脉冲功率用于等离子体的产生。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
