[发明专利]浅沟槽隔离结构制造方法

摘要

本发明公开了一种浅沟槽隔离结构制造方法，该方法在形成氮化硅保护层之前，先形成自平坦填充物，然后利用干法刻蚀工艺去除衬垫氮化硅上的自平坦填充物以及氧化硅保护层，并利用湿法刻蚀工艺去除隔离沟槽内的自平坦填充物，从而使得利用化学机械抛光工艺去除氧化硅填充层之后，仅需要利用湿法刻蚀工艺去除氮化硅保护层、衬垫氮化硅和衬垫氧化硅，即，在该湿法刻蚀工艺中仅需要依次去除氮化硅和氧化硅，降低了该湿法刻蚀工艺的难度，可有效改善隔离沟槽边缘凹陷的效果，并提高晶圆表面的平坦度。

主权项

一种浅沟槽隔离结构制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成衬垫氧化硅和衬垫氮化硅，并刻蚀所述衬垫氧化硅、衬垫氮化硅和部分半导体衬底，形成隔离沟槽；利用热氧化法在隔离沟槽的内壁以及衬垫氮化硅上形成氧化硅保护层；形成自平坦填充物以填充所述隔离沟槽并覆盖氧化硅保护层的表面；利用干法刻蚀工艺去除衬垫氮化硅上的自平坦填充物以及氧化硅保护层；利用湿法刻蚀工艺去除隔离沟槽内的自平坦填充物；在隔离沟槽的内壁以及衬垫氮化硅上形成氮化硅保护层；形成氧化硅填充层以填充隔离沟槽并覆盖氮化硅保护层的表面；利用化学机械抛光工艺去除氮化硅保护层上的氧化硅填充层；利用湿法刻蚀工艺依次去除氮化硅保护层、衬垫氮化硅和衬垫氧化硅，直至暴露所述半导体衬底的表面。