[发明专利]没有隔离装置的存储器有效
申请号: | 201110246891.5 | 申请日: | 2011-08-26 |
公开(公告)号: | CN102779827A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 龙翔澜 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;G11C13/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于没有隔离装置的存储单元的集成电路存储器。该存储单元被动地耦接至位线及字线。该存储单元包含串连的一反熔丝元件及一相变材料元件。穿过反熔丝层的一破裂细丝针对该相变元件作为一电极。控制电路是配置以施加偏压配置以用于该存储单元的操作,该偏压配置包含一第一写入偏压,配置以诱发相变材料中较高电阻相的一本体,以为所选择存储单元建立低于一读取门限的第一门限,该偏压配置还包含一第二写入偏压配置,配置以诱发相变材料中较高电阻相的较大本体,以为所选择存储单元建立高于该读取门限一第二门限,该偏压配置更包含一读取偏压配置,以施加该读取门限至该所选择存储单元。 | ||
搜索关键词: | 没有 隔离 装置 存储器 | ||
【主权项】:
一种集成电路,其特征在于,包含:多条位线及多条字线;以及一存储单元阵列,被动地耦接至该多条位线及该多条字线,该存储单元阵列中的存储单元分别包含串连的一反熔丝元件及相变材料的一元件,该相变材料具有一较低电阻相及较高电阻相。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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