[发明专利]半导体装置的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置有效
| 申请号： | 201110242737.0 | 申请日： | 2011-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102376640A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 原田和宏;板谷秀治 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/02;H01L21/67;C23C16/44;C23C16/34;C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的名称是半导体装置的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置。本发明的目的在于控制膜中的氧浓度，同时形成具有良好的阶梯被覆性的氧化钽类膜。通过交替重复多次下述工序而在衬底上形成导电性氧氮化钽膜，所述导电性氧氮化钽膜在化学计量上氧相对于钽及氮不足，所述工序包括：在发生CVD反应的条件下，向收容有衬底的处理室内供给含有钽的原料气体和氮化剂，在衬底上形成氮化钽层的工序；和向处理室内供给氧化剂，在氮化钽层的由氧化剂引起的氧化反应为不饱和的条件下，氧化氮化钽层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 衬底 处理 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括交替重复多次下述工序而在所述衬底上形成导电性氧氮化钽膜的工序，所述导电性氧氮化钽膜化学计量上氧相对于钽及氮不足，在发生CVD反应的条件下，向收容有衬底的处理室内供给含有钽的原料气体和氮化剂，在所述衬底上形成氮化钽层的工序；向所述处理室内供给氧化剂，在所述氮化钽层的由所述氧化剂引起的氧化反应为不饱和的条件下，氧化所述氮化钽层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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