[发明专利]半导体装置

摘要

本发明名称是“半导体装置”。在包括位线、m条(m为大于或等于3的自然数)字线、源线、m条信号线、第一至第m个存储器单元和驱动器电路的半导体装置中，存储器单元包括用于存储在电容器中积聚的电荷的第一晶体管和第二晶体管，并且第二晶体管包括在氧化物半导体层中形成的沟道。在半导体装置中，驱动器电路通过使用待输出到第j条信号线的信号来产生待输出到第(j-1)条(j为大于或等于3的自然数)信号线的信号。

主权项

一种半导体装置，包括：位线；m条(m为大于或等于3的自然数)字线；源线；m条信号线；第一至第m个存储器单元；以及驱动器电路，其中，所述第一至第m个存储器单元中的每一个包括：包括第一栅端子、第一源端子和第一漏端子的第一晶体管；包括第二栅端子、第二源端子和第二漏端子的第二晶体管；以及电容器，其中，所述第二晶体管的沟道包括氧化物半导体层，其中，所述源线电连接到第m个存储器单元中的所述第一源端子，其中，第k条(k为1至m的自然数)信号线电连接到第k个存储器单元中的所述第二栅端子，其中，第k条字线电连接到第k个存储器单元中的所述电容器的第一端子，其中，第j个(j为3至m的自然数)存储器单元中的所述第二漏端子电连接到第(j‑1)个存储器单元中的所述第一栅端子、所述第(j‑1)个存储器单元中的所述第二源端子和所述第(j‑1)个存储器单元中的所述电容器的第二端子，其中，所述第m个存储器单元中的所述第一栅端子、所述第m个存储器单元中的所述第二源端子和所述第m个存储器单元中的所述电容器的第二端子相互电连接，其中，所述第j个存储器单元中的所述第一漏端子电连接到所述第(j‑1)个存储器单元中的所述第一源端子，其中，所述驱动器电路包括m个第一电路和(m‑1)个第二电路，其中，将写控制信号和m个行地址选择信号输入到所述驱动器电路，其中，将所述写控制信号和第j个行地址选择信号输入到第j个第一电路，其中，把来自第(j‑2)个第一电路的输出和来自第(j‑1)个第二电路的输出输入到第(j‑2)个第二电路，其中，把来自所述第(j‑1)个第二电路的所述输出输入到第(j‑1)条信号线，以及其中，把来自第m个第一电路的输出输入到第m条信号线。