[发明专利]硅片及其生产方法有效
申请号: | 201110229964.X | 申请日: | 2011-08-08 |
公开(公告)号: | CN102373509A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | W·冯阿蒙;G·基辛格;D·科特 | 申请(专利权)人: | 硅电子股份公司 |
主分类号: | C30B33/02 | 分类号: | C30B33/02;C30B33/04;H01L21/324 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 过晓东 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种氧浓度为5×1017-7.5×1017cm-3的硅片,所述硅片在二选一进行以下热过程之后具有以下BMD密度:-在780℃下处理3小时并随后在1000℃下处理16小时之后,BMD密度为至多1×108cm-3;和-在以1K/min的加热速率下将该硅片从500℃的起始温度加热到1000℃的目标温度并随后在1000℃下保持16小时之后,BMD密度为至少1×109cm-3,本发明还涉及一种通过用闪光照射来生产所述硅片的方法。 | ||
搜索关键词: | 硅片 及其 生产 方法 | ||
【主权项】:
一种氧浓度为5×1017‑7.5×1017cm‑3的硅片,其在二选一进行以下热过程之后具有以下BMD密度:‑在780℃下处理3小时并随后在1000℃下处理16小时之后,BMD密度为至多1×108cm‑3;和‑在以1K/min的加热速率下将所述硅片从500℃的起始温度加热到1000℃的目标温度并随后在1000℃下保持16小时之后,BMD密度为至少1×109cm‑3。
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