[发明专利]具有低栅/漏极间电容的沟渠式功率晶体管无效
| 申请号： | 201110221750.8 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102593156A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;石逸群 | 申请（专利权）人： | 茂达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/36;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种具有低栅/漏极间电容的沟渠式功率晶体管，包含漏极结构、井区、栅极沟渠结构，及源极结构，漏极结构包括成第一导电性的漏极区，及主要载子浓度小于漏极区且形成于漏极区中的袋状区，井区成第二导电性且形成于漏极区上，栅极沟渠结构形成于漏极区中且与袋状区实体接触，并包括导电块，及隔离井区与导电块的介电层，源极结构包括形成于井区上且成第一电性的源极区，本发明利用主要载子浓度低且与栅极结构接触的袋状区，降低栅/漏极间电容，以增加晶体管动作反应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 漏极间 电容 沟渠 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种具有低栅/漏极间电容的沟渠式功率晶体管，其特征在于：包含一个漏极结构、一个井区、一个栅极沟渠结构，以及一个源极结构，该漏极结构以半导体材料构成并包括一个成第一导电性的漏极区，及一个位于该漏极区中且主要载子浓度小于该漏极区的袋状区，该井区成相反于该第一导电性的第二导电性，并实体接触该漏极区，该栅极沟渠结构形成在该漏极区和该井区中且与该袋状区实体接触，并包括一块导电块，及一层将该导电块及该井区隔离的介电层，该源极结构包括一个成第一导电性且借该井区而与该漏极结构不相接触的源极区。
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