[发明专利]具有超级接口的功率元件无效
申请号: | 201110220530.3 | 申请日: | 2011-08-01 |
公开(公告)号: | CN102769027A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;石逸群 | 申请(专利权)人: | 茂达电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/10 | 分类号: | H01L29/10;H01L27/088 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种具有超级接口的功率元件,包含基材、主体、源极结构与栅极结构。基材成第一导电性,主体包含载流子浓度小于基材载流子浓度且成第一导电性的原质部,及与原质部接触并成相反于第一导电性的第二导电性的改质部,改质部具有截面宽度不大于原质部的截面宽度的填充区及围覆填充区侧周面的扩散区,扩散区与原质部交界处晶格连续并为超级接口,源极结构连结改质部并成第一导电性,栅极结构包括连结原质部的介电材与导电材。本发明利用扩散区与原质部间晶格连续的超级接口,供电荷不堆积在缺陷(defect)处而维持电流在开启及关闭时皆正常动作。 | ||
搜索关键词: | 具有 超级 接口 功率 元件 | ||
【主权项】:
一种具有超级接口的功率元件,包含:一块基材、一个主体、一个源极结构,以及一个栅极结构;其中该基材以半导体材料构成并具有预定主要载流子浓度而成第一导电性,该主体包含一个主要载流子浓度小于该基材主要载流子浓度并成第一导电性的原质部,及一个与该原质部实体接触并成相反于第一导电性的第二导电性的改质部,该源极结构与该基材间隔并与该主体的改质部实体接触,且主要载流子浓度不小于该主体的原质部的主要载流子浓度且成第一导电性,该栅极结构包括一块与该改质部连结的介电材,及一块与该介电材连结且与该主体间隔的导电材;其特征在于:该改质部具有一个截面宽度不大于该原质部的截面宽度的填充区,及一个围覆该填充区侧周面的扩散区,该扩散区与该原质部的交界处晶格连续并界定为超级接口。
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