[发明专利]散热器、散热器制造方法和半导体激光装置无效

专利信息
申请号: 201110184415.5 申请日: 2011-06-29
公开(公告)号: CN102384694A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 丹羽善昭 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: F28F19/00 分类号: F28F19/00;H01S5/024
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 陈桂香;武玉琴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了散热器、散热器制造方法和半导体激光装置。所述散热器包括:主体;设置于所述主体内的流动通道,在所述流动通道的内部有冷却介质流过;以及覆盖着所述流动通道的内壁表面的钝化膜。所述散热器制造方法包括如下步骤:对多个薄板镀覆钝化用金属,所述多个薄板中的至少一个薄板具有流动通道,在所述流动通道的内部有冷却介质流过;形成散热器主体,在所述散热器主体中,通过各所述薄板之间的所述钝化用金属将所述多个薄板接合起来,并且所述散热器主体具有所述流动通道;以及通过对所述钝化用金属进行氧化,在所述流动通道的内壁上形成钝化膜。本发明能够防止流动通道的内壁由于腐蚀所导致的结构劣化,并能够提高可靠性。
搜索关键词: 散热器 制造 方法 半导体 激光 装置
【主权项】:
一种散热器,其包括:主体;流动通道,所述流动通道设置于所述主体内,并且在所述流动通道的内部有冷却介质流过;以及钝化膜,所述钝化膜覆盖着所述流动通道的内壁表面。
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