[发明专利]一种功率器件单元区和保护环区PN结的结深测量方法无效
| 申请号： | 201110178405.0 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102856222A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 张涛 | 申请（专利权）人： | 上海华碧检测技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 上海市杨浦区国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率器件单元区和保护环区PN结的结深测量方法，包括以下步骤：把金相切片好的样品，浸泡入按照体积比HF∶HNO3∶CH3COOH＝1∶20∶5配制的单元区结染色液中6秒钟后取出；使用扫描电子显微镜对上述浸泡过的金相切片进行截面观察，并测量单元区结的深度；另取一片金相切片好的样品，浸泡入按照体积比HF∶HNO3＝1∶100配制的保护环区结染色液中30秒钟后取出；使用扫描电子显微镜对上述浸泡过的金相切片进行截面观察，并测量保护环结的深度。本发明通过对单元区和保护环区分别使用适合的结染色液，得到精确的结深值；使用染色液进行结深测量，即快速又经济，且单元区的源结和体结在一张照片中获得。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 单元 保护环 pn 测量方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件单元区和保护环区PN结的结深测量方法，其特征在于：该染色方法包括以下步骤：A、按照体积比HF∶HNO3∶CH3COOH＝1∶20∶5的比例进行单元区结染色液配制；B、把金相切片好的样品，浸泡入单元区结染色液中6秒钟后取出，要求在操作过程中保证截面不被任何物品触碰，确保截面干净；C、使用扫描电子显微镜对步骤B中浸泡过的金相切片进行截面观察单元区，拍下扫描电子显微镜扫描的照片，并测量出单元区的源结和体结的深度；D、按照体积比HF∶HNO3＝1∶100进行保护环区结染色液配制；E、另取一片金相切片好的样品，浸泡入保护环区结染色液中30秒钟后取出，要求在操作过程中保证截面不被任何物体触碰，确保截面干净；F、使用扫描电子显微镜对步骤E中浸泡过的金相切片进行截面观察保护环区，拍下扫描电子显微镜的照片，并测量保护环结的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
