[发明专利]画素结构及其制作方法

摘要

本发明公开一种画素结构的制作方法。依序形成一闸极、一闸绝缘层、一半导体层及一导电层于一基板上。形成一包括多个第一光阻区块以及多个第二光阻区块的第一图案化光阻层于导电层上。减少第一图案化光阻层的厚度，直到第二光阻区块被完全移除。形成一画素电极层以及一位于部分画素电极层上的第二光阻层。移除暴露于第二光阻层之外的部分画素电极层以及其下方的部分导电层与部分半导体层，以定义出一第一电极区块、一第二电极区块以及一通道区。移除剩余的第一图案化光阻层与第二光阻层。形成一保护层与一位于部分保护层上的共通电极层。本发明除了可减少光罩的使用数目，以降低制作成本之外，亦可解决习知画素电极的残渣或碎屑所产生的问题。

主权项

一种画素结构的制作方法，其特征在于，包括：依序形成一闸极、一闸绝缘层、一半导体层以及一导电层于一基板上；形成一第一图案化光阻层于该导电层上，其中该第一图案化光阻层暴露出部分该闸绝缘层，且该第一图案化光阻层包括多个第一光阻区块以及多个第二光阻区块，且各该第二光阻区块的厚度小于各该第一光阻区块的厚度；减少该第一图案化光阻层的厚度，直到该些第二光阻区块被完全移除，而暴露出部分该导电层；形成一画素电极层于部分该闸绝缘层、剩余的该第一图案化光阻层以及部分该导电层上；形成一第二光阻层于部分该画素电极层上，其中该第一图案化光阻层与该第二光阻层互不重迭；以该第二光阻层为一蚀刻罩幕，移除暴露于该第二光阻层之外的部分该画素电极层及其下方的部分该导电层与部分该半导体层，以于该导电层定义出一第一电极区块及一第二电极区块，于该半导体层定义出一通道区；移除剩余的该第一图案化光阻层与该第二光阻层，以暴露出该第一电极区块、该第二电极区块与该画素电极层；形成一保护层以覆盖于该第一电极区块、该第二电极区块、该通道区、该画素电极层及部分该闸绝缘层；以及形成一共通电极层于部分该保护层上。