[发明专利]加热装置、腔室装置和基片处理设备有效
| 申请号： | 201110147138.0 | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102808152A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 宗令蓓;文莉辉 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于基片处理设备的加热装置包括：加热灯管，所述加热灯管具有正极和负极且所述加热灯管盘绕成多圈。根据本发明实施例的用于基片处理设备的加热装置可以使得加热面积大且加热均匀。本发明还提供一种具有上述加热装置的腔室装置和具有该腔室装置的基片处理设备。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 装置 处理 设备 | ||
【主权项】：
一种用于基片处理设备的加热装置，其特征在于，包括：加热灯管，所述加热灯管具有正极和负极且所述加热灯管盘绕成多圈。
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