[发明专利]加热装置、腔室装置和基片处理设备

权利要求书

1.一种用于基片处理设备的加热装置，其特征在于，包括：

加热灯管，所述加热灯管具有正极和负极且所述加热灯管盘绕成多圈。

2.根据权利要求1所述的用于基片处理设备的加热装置，其特征在于，所述加热灯管盘绕在一个平面内。

3.根据权利要求1所述的用于基片处理设备的加热装置，其特征在于，所述加热灯管以涡旋形式盘绕。

4.根据权利要求3所述的用于基片处理设备的加热装置，其特征在于，所述加热灯管包括第一灯管和第二灯管，所述第一灯管和第二灯管均以涡旋形式盘绕，所述第一灯管和第二灯管彼此嵌套以便所述第一灯管的内端邻近所述第二灯管的内端且在所述加热灯管的径向方向上所述第一灯管和所述第二灯管交替。

5.根据权利要求4所述的用于基片处理设备的加热装置，其特征在于，所述第一灯管的外端与所述第二灯管的外端在所述加热灯管的径向方向上彼此相对。

6.根据权利要求5所述的用于基片处理设备的加热装置，其特征在于，所述第一灯管的内端为所述第一灯管的负极且所述第一灯管的外端为所述第一灯管的正极，所述第二灯管的内端为所述第二灯管的负极且所述第二灯管的外端为所述第二灯管的正极。

7.根据权利要求4所述的用于基片处理设备的加热装置，其特征在于，在所述加热灯管的周向方向上所述第一灯管与所述第二灯管之间的间距相同。

8.根据权利要求1所述的用于基片处理设备的加热装置，其特征在于，所述加热灯管包括多个环形灯管，所述多个环形灯管同心地排列。

9.根据权利要求8所述的用于基片处理设备的加热装置，其特征在于，相邻环形灯管之间的间距相同。

10.一种腔室装置，其特征在于，包括：

腔室本体，所述腔室本体内限定有腔室且所述腔室本体的顶端敞开；

反射板，所述反射板设置在所述腔室本体的顶端；和

加热装置，所述加热装置为根据权利要求1-9中任一项所述的用于基片处理设备的加热装置，所述加热装置安装在所述反射板上且暴露到所述腔室内。

11.根据权利要求10所述的腔室装置，其特征在于，所述加热装置的正极和负极分别与正极引线和负极引线相连，所述正极引线和负极引线分别穿过所述反射板从所述反射板的上表面延伸出。

12.根据权利要求11所述的腔室装置，其特征在于，在所述腔室内在所述加热装置下方设有石英窗，且在所述反射板的上表面上设有保护所述正极引线和所述负极引线的保护罩。

13.根据权利要求10所述的腔室装置，其特征在于，所述反射板内设有用于冷却所述反射板的冷却通道。

14.根据权利要求10所述的腔室装置，其特征在于，还包括屏蔽件，所述屏蔽件包括环形本体和从所述环形本体的内周沿向下延伸的凸缘，其中所述环形本体设置在所述腔室本体的上端与所述反射板之间且所述凸缘沿所述腔室本体的内周壁向下延伸。

15.根据权利要求14所述的腔室装置，其特征在于，所述屏蔽件内设有用于冷却所述屏蔽件的冷却通路。

16.一种基片处理设备，其特征在于，包括：

腔室装置，所述腔室装置为根据权利要求10-15中任一项所述的腔室装置；和

支撑平台，所述支撑平台设在所述腔室装置的腔室内，用于支撑基片。

17.根据权利要求16所述的基片处理设备，其特征在于，还包括加热组件，所述加热组件设置在所述支撑平台内用于加热支撑在所述支撑平台上的基片。

18.根据权利要求16所述的基片处理设备，其特征在于，所述基片处理设备为物理气相沉积设备或溅射沉积设备。

19.根据权利要求16所述的基片处理设备，其特征在于，所述腔室装置为所述基片处理设备的去气腔室装置。