[发明专利]镀膜件及其制备方法无效
申请号: | 201110106784.2 | 申请日: | 2011-04-27 |
公开(公告)号: | CN102758175A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;戴龙文;林顺茂 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/16 | 分类号: | C23C14/16;C23C14/34;C23C14/35 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种镀膜件,其包括基材及形成于基材表面的合金层,该合金层含有铁、硅、硼及碳,其中铁的原子百分含量为60~95%,硅的原子百分含量为1~20%,硼的原子百分含量为1~10%,碳的原子百分含量为1~10%。本发明还提供一种上述镀膜件的制备方法。本发明镀膜件的制备方法,采用PVD镀膜技术并使用特殊成份的合金靶,在基材的表面制备获得合金层,所述合金层具有较高的硬度且与基材附着牢固,可有效防止基材被磨损,相应地延长了镀膜件的使用寿命。所述制备方法工艺简单、绿色环保且成本低廉。 | ||
搜索关键词: | 镀膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种镀膜件,包括基材及形成于基材表面的合金层,其特征在于:该合金层含有铁、硅、硼及碳,其中铁的原子百分含量为60~95%,硅的原子百分含量为1~20%,硼的原子百分含量为1~10%,碳的原子百分含量为1~10%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司,未经鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110106784.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类