[发明专利]半导体装置及半导体装置单元无效
| 申请号： | 201110053053.6 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102254876A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 仲野纯章 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/498 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，具备能够尽可能防止凸点从金属层大大溢出的结构。如下构成：包括：基板(12)；多个电极焊盘(20)，被形成在基板(12)上；以及保护膜(14)，被形成得具有与各电极焊盘(20)对应而开设的贯通孔(16)，覆盖电极焊盘(20)的周缘部及基板(12)；贯通孔(16)的内壁被形成为向贯通孔(16)的外侧倾斜的斜面(22)；在电极焊盘(20)的经由贯通孔(16)从保护膜(14)露出的露出面、及到贯通孔(16)的斜面(22)的中途而形成金属层(24)；凸点(18)被接合在金属层(22)上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 单元 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；多个电极焊盘，形成在上述基板上；以及保护膜，具有与各电极焊盘对应而开设的贯通孔，并形成为覆盖电极焊盘的周缘部及上述基板；上述贯通孔的内壁被形成为倾斜的斜面，使得离对应的电极焊盘越远则该贯通孔越开阔；覆盖上述电极焊盘的经由上述贯通孔从上述保护膜露出的露出面以及上述贯通孔的上述斜面的中途而形成金属层；该金属层接合有凸点。
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