[发明专利]含埋置绝缘层和穿过其的垂直导电结构的电子器件及方法有效
| 申请号： | 201110033512.4 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102169898A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | G·H·罗切尔特;G·M·格里瓦纳;P·J·兹德贝尔 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/36;H01L23/538;H01L27/088;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及含埋置绝缘层和穿过其的垂直导电结构的电子器件及方法。所述电子器件包括：埋置导电区域；所述埋置导电区域之上的埋置绝缘层；配置在所述埋置绝缘层之上的半导体层，其中所述半导体层具有主表面和相反表面，以及所述埋置导电区域被配置为与所述主表面相比更接近于所述相反表面。第一晶体管的第一载流电极，其中所述第一载流电极沿着所述主表面配置并且与所述埋置导电层间隔开。所述电子器件还可以包括第一晶体管的第一载流电极，其中所述第一载流电极沿着所述主表面配置并且与所述埋置导电层间隔开。所述电子器件可以进一步包括垂直导电结构，贯穿所述埋置绝缘层，其中所述垂直导电结构电连接到所述载流电极和所述埋置导电区域。 | ||
| 搜索关键词： | 含埋置 绝缘 穿过 垂直 导电 结构 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：埋置导电区域；所述埋置导电区域之上的埋置绝缘层；配置在所述埋置绝缘层之上的半导体层，其中所述半导体层具有主表面和相反表面，以及所述埋置导电区域被配置为与所述主表面相比更接近于所述相反表面；第一晶体管的第一载流电极，其中所述第一载流电极沿着所述主表面配置并且与所述埋置导电层间隔开；以及第一垂直导电结构，贯穿所述埋置绝缘层，其中所述第一垂直导电结构电连接到所述第一载流电极和所述埋置导电区域。
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