[发明专利]用于回蚀半导体层的方法和装置有效
| 申请号： | 201080052003.X | 申请日： | 2010-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102714134A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 弗兰克·德拉海耶;维尔纳·索勒;埃卡德·威福林豪斯;史蒂芬·奎瑟尔 | 申请（专利权）人： | 雷纳有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京金恒联合知识产权代理事务所 11324 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 德国古*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于至少部分回蚀基片(3)的半导体层(1)的方法，其中该基片(3)至少部分安置在蚀刻液(5)外，并且在该蚀刻液(5)外的半导体层(3)部分借助源于该蚀刻液(5)的反应性蒸气(11)被至少部分蚀除；本发明还提供用于实施该方法的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种至少部分回蚀基片(3)的半导体层(1)的方法，其中，所述基片(3)至少部分设置在蚀刻液(5)之外，其特征在于，所述半导体层(3)的位于所述蚀刻液(5)之外的部分是借助源于所述蚀刻液(5)的反应性蒸气(11)被至少部分蚀除的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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