[发明专利]用于改善晶片级封装的可靠性的再分布层增强有效
| 申请号： | 201080050679.5 | 申请日： | 2010-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102598259A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | S·凯萨尔·拉希姆;条·周;阿尔卡迪·萨莫伊洛夫;维伦·卡恩德卡尔;勇·力·徐 | 申请（专利权）人： | 美士美积体产品公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种增强的再分布层，它按几何形状扩张与晶片级封装WLP的球栅格阵列相关联的再分布层RDL垫，以在所述WLP的温度循环及/或坠落测试期间提供拉应力缓解。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 晶片 封装 可靠性 再分 增强 | ||
【主权项】：
一种晶片级封装，它包含：焊料接合位置阵列，位于所述晶片级封装的第一侧上，其特征在于，至少一个焊料接合位置包含：球下金属UBM层，具有UBM直径；及再分布层RDL，位置低于且邻接于所述UBM层，所述RDL包含：RDL垫区域，具有RDL垫区域宽度；及RDL延伸翼区域，所述RDL延伸翼区域在从所述RDL垫区域的中心径向向外及从所述晶片级封装的所述第一侧的中央位置径向向外或朝向所述晶片级封装的所述第一侧的中央位置径向向内的方向上从所述RDL垫区域延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美士美积体产品公司，未经美士美积体产品公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080050679.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于制造半导体器件的方法
- 下一篇：微电子封装及其制造方法
