专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]有源像素图像传感器的控制方法-CN201780007410.0有效
  • F·马耶尔;F·巴尔比耶;S·热塞 - 特利丹E2V半导体简化股份公司
  • 2017-01-13 - 2021-05-04 - H04N5/355
  • 在包括光电二极管Dp、记忆节点MN和读出节点SN的有源像素传感器中,设置记忆节点以便在积分时期的终点容纳由光电二极管产生的电荷,从而能够进行全局快门模式的积分以及相关双采样读出,在每个积分时期中,进行至少一次从光电二极管至记忆节点的电荷的转移(A),随后在积分时期的起点之后,但在积分时期的终点的至记忆节点的电荷的最后一次转移(C)之前,在中间时刻t1对记忆节点中容纳的电荷的量进行限幅(B)。随后通过相关双采样CDS逐行读出像素。在积分时期期间的伴有在记忆节点的限幅的一次或多次中间转移能够使传感器的动态范围延伸至高亮度环境,同时在低亮度环境中保持良好的敏感度。
  • 有源像素图像传感器控制方法
  • [发明专利]具有抗模糊栅极的图像传感器-CN201480010870.5在审
  • F·巴尔比耶;F·马耶尔 - E2V半导体公司
  • 2014-02-21 - 2015-11-04 - H01L27/146
  • 本发明涉及电子有源像素图像传感器。该像素包括:光电二极管(PH),其形成在有源半导体层(12)中并且保持在零参考电位;在有源层之上的抗模糊栅极(G5),其一侧相邻于光电二极管,另一侧相邻于排空漏极(22)。所述传感器包括用于在大部分的积累时间期间向抗模糊栅极施加阻挡电位,并且在积累的持续时间之中的一系列短暂脉冲期间向抗模糊栅极施加抗模糊电位的装置,所述阻挡电位在栅极之下产生第一高度的势垒,所述抗模糊电位产生低于第一高度的第二高度的势垒。仅在短暂的脉冲期间施加抗模糊电压降低了由于栅极与光电二极管之间的电场引起的量子隧穿引起的暗噪声。
  • 具有模糊栅极图像传感器
  • [发明专利]具有非对称栅极的矩阵电荷转移图像传感器-CN201180024387.9有效
  • F·马耶尔;R·贝尔 - E2V半导体公司
  • 2011-05-05 - 2013-03-13 - H01L27/148
  • 本发明涉及图像传感器,更具体地但不仅限于能够信号积分的扫描传感器(或TDI传感器,“时间延迟积分线性传感器”)。根据本发明,沿一列的相邻像素均包括至少一个光电二极管(PH1i,PH2i)和一个与所述光电二极管相邻的存储栅极(G1i,G2i)的交替。所述栅极包括主体和一系列窄指状物(20),所述一系列窄指状物(20)在电荷转移方向上的上游侧上而不在下游侧上且从所述主体向所述上游侧延伸,在所述上游侧上的所述指状物的末端与位于所述栅极的上游的光电二极管相邻,所述窄指状物通过第一导电类型的掺杂绝缘区域(18)而彼此分离,所述掺杂绝缘区域(18)的掺杂比所述表面区域的掺杂更高且所述掺杂绝缘区域优选地比所述表面区域更深,所述掺杂绝缘区域与所述表面区域一样被连接至所述有源层的所述基准电势,这些所述绝缘区域插置在所述栅极的所述主体与所述光电二极管之间。这些指状物感应所述电荷转移的方向性。
  • 具有对称栅极矩阵电荷转移图像传感器

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