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[发明专利]对图像传感器进行时钟控制的方法-CN201611163534.1有效
发明人： C·帕克斯 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H04N5/372 文献下载
摘要：本发明描述了对图像传感器进行时钟控制的方法。具体描述了测量和校准CCD成像系统的增益的方法。电荷注入器可存在于图像传感器阵列的任一侧上，用于向相应的校准VCCD提供测试电荷。可在四输出读出期间将测试电荷转移到上部和下部HCCD，或在双输出或单输出读出期间将测试电荷仅转移到所述下部HCCD。在所述成像系统的每个象限中，可基于测试电荷的量值经由电荷开关将所述测试电荷转移到EMCCD输出端或非EMCCD输出端。所述成像系统中所有EMCCD输出端和非EMCCD输出端的所述增益可在任两个输出端之间检测到差异时通过调整每个输出端处的所述增益来彼此校准。
图像传感器进行时钟控制方法

[发明专利]水解过敏原制剂的评估-CN201980029201.5在审
发明人： C·帕克斯;T·莱贡;S·皮罗顿;N·波维 -专利权人： ASIT生物技术股份公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G01N33/50 文献下载
摘要：一种评估水解过敏原制剂的方法，包括以下步骤：使所述制剂与人血液样本接触‑测量产生IL10的调节性B细胞的增殖(率)，其中，增殖(率)指示制剂的适用性。
水解过敏原制剂评估

[发明专利]在成像系统中形成微透镜的方法、图像传感器和微透镜-CN202010278871.5在审
发明人：约瑟夫·R·苏马;C·帕克斯;斯科特·瓦纳伦 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明题为“在成像系统中形成微透镜的方法、图像传感器和微透镜”。本发明公开了一种成像设备，该成像设备可包括形成为图像像素阵列的一部分的像素中的一个或多个光敏区。微透镜和滤色器结构可形成在像素之上。每个微透镜可由微透镜晶种以及形成在微透镜晶种之上的一个或多个沉积微透镜层形成。沉积的一个或多个沉积微透镜层可能已经限定微透镜的曲率。因此，针对形成在微透镜晶种之上的一个或多个微透镜层，不需要进一步的蚀刻或平滑处理。如果需要，微透镜晶种可具有平面顶表面和平面侧、平面顶表面和倾斜平面侧、或非平面顶表面和平面侧。微透镜晶种可限定微透镜的微透镜特性，诸如曲率半径、高度和/或微透镜凸角的数量和类型。
成像系统形成透镜方法图像传感器

[实用新型]图像传感器-CN201921695514.8有效
发明人： C·帕克斯 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种图像传感器，该图像传感器可以包括多个电荷耦合器件(CCD)，该多个电荷耦合器件与被成像对象的移动同步地转移电荷。为了增大图像传感器的动态范围，图像传感器可以包括被配置为随着电荷转移通过电荷耦合器件而对电荷进行非破坏性采样的电路。浮栅可以包括在图像传感器中，并且可以具有与聚积在浮栅下方的电荷成比例的电压。每个浮栅可以通过金属互连层耦接到附加衬底中的相应读出电路。
图像传感器

[实用新型]图像传感器-CN201921256900.7有效
发明人： C·帕克斯 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本实用新型题为“图像传感器”。本实用新型提供了一种图像传感器，该图像传感器可包括具有非破坏性读出能力的成像像素。每个成像像素都可包括衬底，该衬底具有感光区域，该感光区域响应于入射光而生成电荷。该电荷可邻近浮栅聚积在该衬底的正面处。该浮栅的电压可取决于聚积了多少电荷。可对该浮栅的该电压重复地采样以监测随时间推移所接收的入射光的量。第一复位晶体管可为该衬底清除聚积的电荷。第二复位晶体管可复位该浮栅的电压。如果需要，该成像像素可在多个晶圆之间分割开，并且可包括nMOS晶体管和pMOS晶体管。
图像传感器

[发明专利]具有稳定电荷倍增增益的EMCCD图像传感器-CN201880005835.2在审
发明人： J·希内切克;E·G·史蒂文斯;C·帕克斯;S·科斯曼 -专利权人：半导体组件工业公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明题为“具有稳定电荷倍增增益的EMCCD图像传感器”。本发明公开了在电子倍增电荷耦合器件EMCCD图像传感器(14)中，在电荷倍增电极(201)下方的电介质堆叠中的电子陷阱(209)可能导致不期望的增益老化。为了减小增益老化漂移效应，可以形成电介质堆叠(304,305)，该电介质堆叠在电荷倍增电极下方的区中不包括电子陷阱。为了实现这个目的，可以在该电荷倍增电极下方的区中去除该电介质堆叠中的氮化硅(305)。因此，该EMCCD图像传感器可以在其操作寿命期间以稳定电荷载流子倍增增益制造。
电介质堆叠图像传感器倍增倍增电极稳定电荷电荷电子陷阱载流子老化电荷耦合器件漂移效应氮化硅减小去除期望制造

[实用新型]图像传感器和电荷耦合器件(CCD)图像传感器-CN201621380128.6有效
发明人： G·O·莫伯格;C·帕克斯 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H04N5/372 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种图像传感器和电荷耦合器件(CCD)图像传感器。所述图像传感器包括多个垂直移位寄存器；水平移位寄存器，其接收来自所述多个垂直移位寄存器的电荷；以及输出缓冲电路，其接收来自所述水平移位寄存器的电荷，并且包括电流吸收晶体管和共源共栅晶体管。
图像传感器电荷耦合器件 ccd

[发明专利]形成成像像素微透镜的改进方法-CN201611194637.4在审
发明人： C·帕克斯 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及形成成像像素微透镜的改进方法，提供了一种形成微透镜的方法，所述方法可包括使用两层光刻胶。可将第一光刻胶层图案化以形成像素微透镜的第一部分。可在所述像素微透镜的所述第一部分的顶部上将第二光刻胶层图案化。然后可熔化所述第二光刻胶，使得所述第二光刻胶层具有弯曲的上表面。所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层可结合以形成所述像素微透镜。所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层的折射率可相同或不同。所述第二光刻胶的熔点可低于所述第一光刻胶的熔点。
形成成像像素透镜改进方法

[发明专利]对图像传感器进行时钟控制的方法-CN201611163540.7在审
发明人： C·帕克斯 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H03K5/135 文献下载
摘要：本发明描述了一种用于在电荷耦接器件(CCD)图像传感器中合并电荷的方法。对所述CCD图像传感器中的HCCD进行时钟控制的频率可以是对耦接到所述HCCD端部的求和元件进行时钟控制的频率的倍数，以使得电荷可先在所述HCCD内的栅极处或在所述求和元件处被合并，再被读出。用于所述求和元件的所述时钟信号可具有50％的占空比，以便为电荷跨越输出栅极流到所述CCD图像传感器的输出级中的浮动扩散节点提供额外时间。对于所述HCCD时钟频率是所述求和元件时钟频率的两倍以上的情况，电荷可在所述求和元件处合并。不然，电荷可在所述HCCD内的另一栅极处合并。
图像传感器进行时钟控制方法

[发明专利]铜互连结构及其形成方法-CN201310181024.7有效
发明人： D·C·埃德尔斯坦;T·诺加米;C·帕克斯;T-L·泰 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及铜互连结构及其形成方法。一种具有提高的电迁移抗性的结构和用于制作该结构的方法。一种具有提高的电迁移抗性的结构包括具有双层盖和电介质覆盖层的本体互连。该双层盖包括底部金属部分和顶部金属氧化物部分。优选地，金属氧化物部分是MnO或MnSiO并且金属部分是Mn或CuMn。该结构通过用(在优选实施例中为Mn的)杂质掺杂互连，然后在互连的顶部部分创造晶格缺陷。缺陷将增加的杂质迁移驱向互连的定表面。在形成电介质覆盖层时，部分与分凝的杂质反应，从而在互连上形成双层。Cu表面的晶格缺陷可以通过等离子处理、离子注入、压缩薄膜或其他手段来创造。
互连结构及其形成方法

[实用新型]图像传感器-CN201520266774.9有效
发明人： C·帕克斯 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于测量材料的折射率的图像传感器。一个技术问题是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。根据一个实施例，图像传感器包含：具有面向材料的裸露表面的半导体基板，在该半导体基板上的与裸露表面间隔开的像素阵列，以及在半导体基板上的光源，该光源被配置以将光朝着裸露表面发射到半导体基板之内，反射光使其离开裸露表面射向像素阵列，其中像素阵列检测由裸露表面反射的光以计算出材料的折射率。本实用新型的一个优点是：提供了用于测量材料的折射率的新的图像传感器及方案。
图像传感器

[发明专利]具有减少的阱跳变的图像传感器-CN200980118679.1有效
发明人： C·帕克斯;G·史 -专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日： 2009-05-12 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：一种CMOS图像传感器或其它类型的图像传感器包括：像素阵列以及与该像素阵列相关联的采样与读出电路。在读出该像素阵列的选定群组的像素中的一个或多个时，该阵列的像素电源线信号从无效状态转变为有效状态，且在该像素电源线信号从其无效状态转变为其有效状态之前的预定时间内，该像素阵列的未选定群组的像素的重置信号从有效状态转变为无效状态。此布置有利地减少了图像传感器内的阱跳变。该图像传感器可以被实施于数码相机或其它类型的数字成像装置中。
具有减少阱跳变图像传感器

[发明专利]具有带有全色棋盘图案的彩色滤光器阵列的图像传感器-CN200880104051.1无效
发明人： M·奥布赖恩;J·T·坎普顿;C·帕克斯;E·O·莫雷尔斯 -专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日： 2008-08-20 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H04N9/07 文献下载
摘要：一种用于捕获彩色图像的图像传感器，包括具有多个最小重复单元的二维像素阵列，其中每个重复单元由八个的像素构成，这八个像素包括四个全色像素、两个具有相同颜色响应的像素以及两个具有不同颜色响应的像素，所述具有不同颜色响应的像素与具有相同颜色响应的像素不同，其中平铺所述最小重复单元以使得图像传感器的每一行或每一列具有单色的彩色像素或者使得每一行或每一列具有仅两种颜色的彩色像素。
具有带有全色棋盘图案彩色滤光阵列图像传感器

[发明专利]具有增益控制的图像传感器像素-CN200880014156.8有效
发明人： C·帕克斯;J·T·坎普顿 -专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日： 2008-04-22 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H04N3/15 文献下载
摘要：一种用于读出图像信号的方法，该方法包括：提供至少两个光敏区域；提供至少两个分别与每个光敏区域相关联的转移栅；提供被电连接至所述转移栅的公共电荷至电压转换区域；提供用于复位所述公共电荷至电压转换区域的复位机制；在从所述光敏区域至少之一转移电荷之后，在第一时间禁止所有的转移栅；在随后的第二时间允许至少一个转移栅；以及在所述至少一个转移栅从所述第二时间起保持被允许的同时，在随后的第三时间从所述光敏区域至少之一转移电荷。
具有增益控制图像传感器像素

[发明专利]像素面积减小的图像传感器-CN200880008428.3有效
发明人： C·帕克斯 -专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日： 2008-02-20 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括布置在衬底上的多个像素，每个像素包括：至少一个光敏区域，其响应于入射光而收集电荷；电荷到电压转换节点，其用于感测来自该至少一个光敏区域的电荷并且将该电荷转换为电压；放大器晶体管，其具有连接到输出节点的源极、连接到电荷到电压转换节点的栅极以及连接到电源节点的至少一部分的漏极；以及重置晶体管，其连接输出节点和电荷到电压转换节点。
像素面积减小图像传感器

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