[发明专利]干法刻蚀设备反应腔的上部电极无效
| 申请号： | 201010596332.2 | 申请日： | 2010-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102543644A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李顺义 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/04;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种干法刻蚀设备反应腔的上部电极，采用碳、碳化硅、硅、和/或石英材料制造，在所述上部电极内部嵌入金属，或者在所述上部电极表面覆盖金属。本发明可以减少或避免反应生成物粘附在上部电极周围，延长上部电极使用寿命，加快刻蚀速率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 设备 反应 上部 电极 | ||
【主权项】：
一种干法刻蚀设备反应腔的上部电极，采用碳、碳化硅、硅、和/或石英材料制造，其特征是，在所述上部电极内部嵌入金属，或者在所述上部电极表面覆盖金属。
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