[发明专利]自身自由弯曲振动的压电陶瓷多层结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201010539172.8 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102468422A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 阮学政;李国荣;曾江涛;郑嘹赢;殷庆瑞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;H01L41/047;H01L41/24;H03H9/15 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 项丹 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及自身自由弯曲振动的压电陶瓷多层结构及其制备方法，提供了一种自身自由弯曲振动的压电陶瓷多层结构，该结构包括：基片；与基片粘接的作为一个整体的下N层低温烧结压电陶瓷和作为一个整体的上N层低温烧结压电陶瓷，其中，所述作为一个整体的上N层低温烧结压电陶瓷和作为一个整体的下N层低温烧结压电陶瓷经LTCC多层共烧结工艺进行烧结并且并联连接，并经同向电场极化；所述上N层低温烧结压电陶瓷和下N层低温烧结压电陶瓷中的每一层陶瓷并联连接，并在其表面上铺设有面电极；N为大于2的自然数；与所述上N层低温烧结压电陶瓷和下N层低温烧结压电陶瓷连接的外电极。还提供了一种制备自身自由弯曲振动的压电陶瓷多层结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 自身 自由 弯曲 振动 压电 陶瓷 多层 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种自身自由弯曲振动的压电陶瓷多层结构，该结构包括：基片；与基片粘接的作为一个整体的下N层低温烧结压电陶瓷和作为一个整体的上N层低温烧结压电陶瓷，其中，所述作为一个整体的上N层低温烧结压电陶瓷和作为一个整体的下N层低温烧结压电陶瓷经LTCC多层共烧结工艺进行烧结并且并联连接，并经同向电场极化；所述上N层低温烧结压电陶瓷和下N层低温烧结压电陶瓷中的每一层陶瓷并联连接，并在其表面上铺设有面电极；N为大于2的自然数；与所述上N层低温烧结压电陶瓷和下N层低温烧结压电陶瓷连接的外电极。
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- 2016-05-17 - 2018-09-07 - H01L41/187
- 本发明提供了一种压电陶瓷材料，所述压电陶瓷材料含有用化学通式:Pb1‑aSra(Zn1/3Nb2/3)1‑b‑cZrbTicO3+dwt％Sm2O3+ewt％Li2CO3，且满足如下关系的主要组分：0.01≤a≤0.1,0.2≤b≤0.6,0.3≤c≤0.7,0.2≤d≤0.6,0.1≤e≤0.5。本发明大幅降低了烧结温度，减少了PbO挥发对环境的危害，并使产品可以采用纯银电极，降低了大量材料成本。
- 压电薄膜及其制造方法以及压电元件-201480064741.4
- 梅田圭一;本多淳史;秋山守人;西久保桂子;长濑智美 - 株式会社村田制作所;独立行政法人产业技术综合研究所
- 2014-11-20 - 2018-09-04 - H01L41/187
- 本发明提供一种由含有钪以外的廉价元素且压电常数得到提高的氮化铝构成的压电薄膜。所述压电薄膜是由含有镁和铌的氮化铝构成的压电薄膜，其中，相对于上述镁100原子％，含有上述铌31～120原子％，上述镁和铌的合计含量相对于上述镁、铌及铝的含量的总和在10～67原子％的范围。
- 压电元件、以及压电元件应用装置-201711268261.1
- 北田和也;角浩二;酒井朋裕;高桥敏明 - 精工爱普生株式会社
- 2017-12-05 - 2018-08-21 - H01L41/187
- 本发明提供一种提高了压电特性的压电元件、以及压电元件应用装置。所述压电元件为，具备第一电极(60)、第二电极(80)、和被设置于所述第一电极(60)与所述第二电极(80)之间的、由包括钾、钠、铌的钙钛矿型的复合氧化物构成的薄膜的压电体层(70)的压电元件(300)，所述压电体层(70)在由θ‑2θ测量所得到的X射线衍射图案中，在2θ为45°～47°的范围内存在因(002)以及(200)而得到的峰值，所述峰值的高角度侧的峰值位置为46.0°≤2θ≤46.5°，且高角度侧的峰值与低角度侧的峰值的2θ之差大于0.60°。
- 一种高机电耦合性能锆钛酸铅细晶压电陶瓷及其制备方法-201610029250.7
- 姜知水;欧明;文理 - 广东捷成科创电子股份有限公司
- 2016-01-14 - 2018-08-17 - H01L41/187
- 本发明提供了一种高机电耦合性能锆钛酸铅细晶压电陶瓷，其分子式为Pb1‑x‑y‑zBaxNbyNiz（ZraTi1‑a）O3，其中0＜x≤0.1，0＜y≤0.08，0＜z≤0.08，0.51＜a≤0.6。本发明通过采用钡、铌、镍对锆钛酸铅压电陶瓷进行改性，获得了一种改性的高性能压电陶瓷。特别是当Pb1‑x‑y‑zBaxNbyNiz（ZraTi1‑a）O3，取代量x=0.06，y=0.05，z=0.03，a=0.55，合成反应温度为850℃时，获得的改性的压电陶瓷综合压电性能最好，其中，介电常数为3600，压电系数d33为620pC/N，机电耦合系数kp值为80%，介电损耗小于1%，平均晶粒控制在2‑4微米，在保持较高的压电性能的同时具有优异的机械性能。相应的，本发明还提供了该细晶压电陶瓷的制备方法。
- 一种高电致应变无铅压电陶瓷材料及其制备方法与应用-201510530831.4
- 沈波;李玲玉;张杨;翟继卫 - 同济大学
- 2015-08-26 - 2018-06-26 - H01L41/187
- 本发明涉及一种高电致应变无铅压电陶瓷材料及其制备方法与应用，该材料的化学通式为(1‑x)[0.94BNT‑0.06BT]‑xBiT，其中，x为BiT的质量含量，0＜x≤0.15，制备时，采用熔盐法制备片状的铋层状结构的Bi4Ti3O12材料，再将Bi4Ti3O12与钙钛矿结构的0.94BNT‑0.06BT基料按一定质量比配料，置于球磨罐中，球磨后造粒，采用固相烧结法，即制备得到(1‑x)[0.94BNT‑0.06BT]‑xBiT无铅压电陶瓷材料，可用于制备压电传感器、压电电动机或位移控制器。与现有技术相比，本发明制备方法简单，工艺稳定性好，成本低，制得的无铅压电陶瓷材料具有优异的压电性能，致密性好，电致应变值可达0.37％，具有很好的应用前景。
- 压电振子、超声波探头、压电振子制造方法以及超声波探头制造方法-201480009780.4
- 山下洋八;山本纪子;细野靖晴;逸见和弘 - 东芝医疗系统株式会社
- 2014-03-24 - 2018-06-15 - H01L41/187
- 本实施方式所涉及的压电振子具备：单晶压电体，由具有氧化镁和氧化铟中的至少一方和氧化铌的铅复合钙钛矿化合物构成，具有晶体取向为[100]面的第1面和与上述第1面对置，并且晶体取向为[100]面的第2面，并被极化；第1电极以及第2电极，上述第1电极设置在上述单晶压电体的上述第1面侧，上述第2电极设置在上述单晶压电体的上述第2面侧。相对于基于上述单晶压电体未极化或去极处理后的密勒指数(400)的衍射X射线的第1半高宽，基于上述单晶压电体的密勒指数(400)的衍射X射线的第2半高宽为0.22以上0.4以下。 1
- 专利分类
