[发明专利]一种靶材功率加载方法、靶材电源及半导体处理设备无效
| 申请号： | 201010291502.6 | 申请日： | 2010-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102409303A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 杨柏;夏威 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张天舒;陈源 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于磁控溅射工艺的靶材功率加载方法，包括：10)为靶材分别连接主功率电源和维持功率电源；20)使主功率电源以脉冲的形式向靶材加载一定的主功率；使维持功率电源至少在主功率电源的脉冲间隔时间内向靶材加载一定的小于上述主功率的维持功率，用以在主功率的脉冲间隔时间内维持溅射工艺的辉光放电过程。上述靶材功率加载方法能够在保证工艺稳定及可控性的同时，可使金属离化率得到明显提高，从而满足新技术节点的工艺要求。此外，本发明还提供一种包括主功率模块和维持功率模块的靶材电源，以及一种应用上述靶材功率加载方法或靶材电源的半导体处理设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 加载 方法 电源 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
一种靶材功率加载方法，用于在磁控溅射工艺中向靶材加载功率，其特征在于，包括下述步骤：10)为所述靶材分别连接主功率电源和维持功率电源；20)使所述主功率电源以脉冲的形式向所述靶材加载一定的主功率，单个脉冲的作用时间为t1，脉冲间隔时间为t2；使所述维持功率电源至少在所述主功率电源的脉冲间隔时间t2内向靶材加载一定的维持功率，所述维持功率小于所述主功率，用以在t2内维持溅射工艺的辉光放电过程。
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